Dígito Binario – Tecnología Informática

Software + Hardware

Cada vez mas cerca de la PRAM

Posted by pilsen en abril 21, 2007

Un nuevo tipo de memoria esta en desarrollo, promete ser algo totalmente nuevo y revolucionario, esta bajo desarrollo de Intel y STMicroelectronics.

Este tipo de memoria esta en desarrollo desde los ultimo años, también Samsung esta trabajando en la PRAM, ya habiendo mostrado un prototipo de este tipo de memoria el año pasado.

Esta tecnología usa cristales anfígenos o calcógenos, que cambian de estado entre amorfo y cristalino al aplicarle corriente, estos estados pasarían a representarse en binario 0 y 1. Este tipo de memoria seria no volátil y mantendría la información al cortarle la corriente, cosa que como sabemos no pasa con las actuales DRAM, y esta no seria su única ventaja, afirman que seria unas 30 veces mas veloces que las actuales memorias y tendría un numero ilimitado de ciclos de lectura/escritura, algo limitado en las memorias Flash actuales.

Es interesante lo que promete esquivando limites que tienen las memorias hoy en día, Intel asegura que este tipo de memoria estará en producción este año.

Una respuesta to “Cada vez mas cerca de la PRAM”

  1. Juancho said

    zarpantes como para no perder la memoria

    Un abrazote

    juancho

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